【摘 要】
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Crystalline SiO2 (c-SiO2) samples were implanted at room temperature (RT) with 120 keV C-ions and the selected implantation doses were 2.0×1017, 5.0×1017, 8.
【出 处】
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IMP & HIRFL Annual Report
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Crystalline SiO2 (c-SiO2) samples were implanted at room temperature (RT) with 120 keV C-ions and the selected implantation doses were 2.0×1017, 5.0×1017, 8. 6×1017 and 1. 2×1017 C/cm2. These samples were annealed in vacuum under 500, 700, 900 and 1 100℃, respectively. The modification of the samples was investigated at RT by using a Spectrum GX IR spectroscopy.
Crystalline SiO2 (c-SiO2) samples were implanted at room temperature (RT) with 120 keV C-ions and the selected implantation doses were 2.0 x 1017, 5.0 x 1017, 8.6 x 1017 and 1.2 x 1017 C / cm2 The samples were annealed in vacuum under 500, 700, 900 and 1 100 ° C, respectively. The modification of the samples was investigated at RT by using a Spectrum GX IR spectroscopy.
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