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叙述了大直径硅单晶生长,计算机数值模拟以及绝缘体上硅(SOI)、锗硅(SiGe)和应变硅等硅基材料的研究进展,讨论了硅中缺陷演化、杂质特性、缺陷工程和表面与界面质量控制,展望了后摩尔时代半导体硅及硅基材料的发展前景。
半导体硅及硅基材料研究中的几个问题
【摘 要】
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叙述了大直径硅单晶生长,计算机数值模拟以及绝缘体上硅(SOI)、锗硅(SiGe)和应变硅等硅基材料的研究进展,讨论了硅中缺陷演化、杂质特性、缺陷工程和表面与界面质量控制,展望
【机 构】
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北京有色金属研究总院半导体材料国家工程研究中心
【出 处】
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上海金属
【发表日期】
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2008年05期
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