【摘 要】
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主要针对目前SOI（Silicon-on-insulator）纳米光波导结构弯曲损耗严重的问题,系统地进行了理论仿真分析,设计出最佳的纳米波导结构,并采用MEMS工艺对其进行加工制备与优化处理。
【机 构】
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中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,中北大学电子测试技术国家重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金项目（61076111）,国家自然科学基金项目（61127008）
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主要针对目前SOI（Silicon-on-insulator）纳米光波导结构弯曲损耗严重的问题,系统地进行了理论仿真分析,设计出最佳的纳米波导结构,并采用MEMS工艺对其进行加工制备与优化处理。后利用了SEM（扫描电子显微镜）、AFM（原子力显微镜）、透射谱功率法等研究手段精确测试了在高纯氮退火和BOE腐蚀后处理不变的情况下,不同温度热氧化退火处理下的波导侧壁粗糙度和对应的弯曲损耗,结果表明：波导的侧壁粗糙度随退火温度的变化近似呈二次抛物线变化趋势,在900℃附近达到最低值2.1 nm,对应的半径15μm
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