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作者利用低温氧等离子体处理聚硅烷涂层，成功地制备SiO2膜，由IR谱给出的Si-O键的吸收峰波数，随氧等离子体处理时间的不同在1065－1088cm^-1范围变化，XPS谱给出Si2p的结合能为103．3－103．5eV，硅氧原子比为1：1．99，激光椭园振仪测得折射率在1．30－1．55范围，MOS电容的高频C－V特性曲线表明，平带电压为正，计算得氧化物电荷的电性为负，密度为6．6×10^10-8.8*10^11cm^-2，其大小可以通过改变处理条件进行控制，BT实验表明，可动电荷密度为（3－