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在4.2—273K 温区内,0—14 Kbar 压强下,测量了 CeSb 单晶的电阻率.计及 P-f 互作用随温度的变化,我们在理论上计算了与压强有关的 CeSb 磁性电阻率,并将计算结果与实验值比较.
压力下CeSb晶体的导电特性研究
【摘 要】
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在4.2—273K 温区内,0—14 Kbar 压强下,测量了 CeSb 单晶的电阻率.计及 P-f 互作用随温度的变化,我们在理论上计算了与压强有关的 CeSb 磁性电阻率,并将计算结果与实验值比
【机 构】
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上海科技大学物理系,上海教育学院,中国科学院物理研究所
【出 处】
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低温物理学报
【发表日期】
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1989年2期
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