体Si和SOI工艺SRAM芯片电磁敏感度的温度效应

来源 :电波科学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：pudding_dophin

【摘要】

：

考虑到芯片实际应用环境的复杂性,针对体硅(silicon,Si)和绝缘体上硅(silicon on insulator,SOI)两种工艺的静态随机存储器(static random-access memory,SRAM),测试研究温度

【作者】

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吴旭景王蒙军吴建飞李彬鸿郝宁高见头李

【机构】

：

河北工业大学电子信息工程学院,天津先进技术研究院,国防科技大学电子科学学院,中国科学院微电子研究所

【出处】

：

电波科学学报

【发表日期】

：

2021年1期

【关键词】

：

体硅绝缘体上硅静态随机存储器直接功率注入电磁敏感度温度效应

【基金项目】

：

国家科学基金(61604176);天津优秀青年学者人才发展专项规划(TJTZJH-QNBJRC-2-22)

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考虑到芯片实际应用环境的复杂性,针对体硅(silicon,Si)和绝缘体上硅(silicon on insulator,SOI)两种工艺的静态随机存储器(static random-access memory,SRAM),测试研究温度效应分别对这两种不同工艺存储器芯片敏感度的影响.依据两种工艺下金属氧化物半导体(metal oxide semiconductor,MOS)器件结构的异同,对两种工艺下MOS器件的温度效应进行了对比分析;结合温箱和直接功率注入法(direct power injection,

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