【摘 要】
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采用直流磁控溅射法与氧化法热处理相结合的工艺,在Si基底上制备VO2薄膜,通过扫描电镜（SEM）、X射线衍射（XRD）、X射线电子能谱（XPS）、傅里叶变换红外光谱（FTIR）透射率测试,分析了VO2薄
【机 构】
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电子工程学院,红外与低温等离子体安徽省重点实验室
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采用直流磁控溅射法与氧化法热处理相结合的工艺,在Si基底上制备VO2薄膜,通过扫描电镜（SEM）、X射线衍射（XRD）、X射线电子能谱（XPS）、傅里叶变换红外光谱（FTIR）透射率测试,分析了VO2薄膜截面结构、晶相成分、成分价态及红外透射率相变特性。实验分析表明,采用直流磁控溅射与氧化热处理相结合的方法,可获得主要成分为具有明显择优取向单斜金红石结构VO2（011）晶体的氧化钒薄膜,其红外透射率具有明显相变特性,相变中心温度为57.5℃,3~5μm、8~12μm波段的红外透射率对比值达到99.5%,适
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