【摘 要】
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用电子束蒸发的方法制备了ZnS:Zn,PB荧光薄膜,分别经400 ℃、600 ℃退火处理.采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)谱等,表征了ZnS
【机 构】
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天津理工学院材料物理研究所,天津理工学院材料物理研究所,北京交通大学光电子技术研究所
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用电子束蒸发的方法制备了ZnS:Zn,PB荧光薄膜,分别经400 ℃、600 ℃退火处理.采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)谱等,表征了ZnS:Zn,PB荧光薄膜的结构、成分、形貌和发光性能.实验表明,随着退火温度的升高,薄膜的结构程度提高,弥补了薄膜晶体表面的表面缺陷,提高了薄膜的发光性能.因此,退火处理是提高ZnS:Zn,PB荧光薄膜发光性能的有效方法之一.
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