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通过微波等离子体化学气象沉淀装置(MPCVD),分别选用CVD金刚石种晶、HTHP金刚石种晶进行同质外延生长,用以合成单晶金刚石,对比两者同质外延生长质量与速度,寻求较为合适种晶.利用宝石显微镜、偏光显微镜、激光拉曼光谱、光致发光光谱对样品进行分析,发现CVD金刚石种晶生长表面质量与生长速度明显高于HTHP种晶.