近红外响应的Ⅲ-Ⅴ族半导体光电阴极材料及工艺

来源 :光电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ywh831002

【摘要】

：

随着GaAs负电子亲和势(NEA)半导体光电阴极在我国的成熟和应用,半导体光电阴极的进一步研究将往更长波的近红外发展.针对透射式半导体光电阴极器件,系统总结了近红外波段响应

【作者】

：

王旺平马建一

【机构】

：

中国电子科技集团公司第五十五研究所

【出处】

：

光电子技术

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

负电子亲和势光电阴极转移电子光阴极 GaAs InGaAs InGaAsP negative electron affinity photocathode t

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随着GaAs负电子亲和势(NEA)半导体光电阴极在我国的成熟和应用,半导体光电阴极的进一步研究将往更长波的近红外发展.针对透射式半导体光电阴极器件,系统总结了近红外波段响应良好的GaAs、InGaAs、InGaAsP Ⅲ-Ⅴ族外延材料特性及相应商业化产品的应用领域和性能.通过文献调研本文进一步归纳了不同波段NEA光电阴极和转移电子光阴极适用的材料结构,并结合传统GaAs NEA光电阴极工艺讨论了InGaAs、InGaAsP材料及阴极工艺的难点.

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