【摘 要】
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本文简介了IGBT模块的主要封装工艺流程，并在相同的实验条件下，对两组不同氧化程度的模块分别进行超声波无损检测扫描，将扫描图像栽入空洞统计分析软件，通过对比两组空洞率数据发
【机 构】
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中国中车永济新时速电机电器有限责任公司——半导体分公司
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本文简介了IGBT模块的主要封装工艺流程，并在相同的实验条件下，对两组不同氧化程度的模块分别进行超声波无损检测扫描，将扫描图像栽入空洞统计分析软件，通过对比两组空洞率数据发现：非氧化底板焊接空洞率较低，氧化底板的焊接空洞率普遍偏大。基于本实验的结果。本文建议IGBT模块在封装之前，应对散热底板做好防腐处理，以确保底板不被氧化。
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