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,High Signal-to-Noise Ratio Hall Devices with a 2D Structure of Dual δ-Doped GaAs/AlGaAs for Low Fie
【机 构】
:
Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083“,”Shangdong Wave of Huaguan
【出 处】
:
中国物理快报(英文版)
【发表日期】
:
2015年12期
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