【摘 要】
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Si之后的新一代功率半导体材料的开发在日本愈发活跃。进入2013年以后,日本各大企业相继发布了采用SiC和GaN的功率元件新产品,还有不少企业宣布涉足功率元件业务。其中,变化
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Si之后的新一代功率半导体材料的开发在日本愈发活跃。进入2013年以后,日本各大企业相继发布了采用SiC和GaN的功率元件新产品,还有不少企业宣布涉足功率元件业务。其中,变化较大的是GaN功率元件。最近,耐压600 V的新款GaN功率晶体
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