论文部分内容阅读
采用量子化学ＣＮＤＯ／２法，从理论上探讨了ＣｌＯ＾－４在聚并苯表面的吸附行为。ＣｌＯ＾－４在聚并苯分子中Ｃ＝Ｃ双键、Ｃ－Ｃ单键中点上方为稳定吸附位，前者吸附能最大。在其它位置吸附的ＣｌＯ＾－４极易向该点迁移。ＥＨＭＯ－ＣＯ能带结构计算指出：ＣｌＯ＾－４掺杂聚并苯中，ＣｌＯ＾－４处在洞位、双键桥位及氢键位时，体系的导电性能较好，而作为电极材料，洞位可能是吸附与脱附的最佳位置。