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摘要：采用电沉积一硫化法制备了CuInS2（CIS）薄膜。用X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）和能谱仪（EDS）等实验手段对CIS薄膜的晶体结构、形貌和，组分进行了表征。结果表明：在500～560℃硫化温度范围内制备的CIS薄膜表面均生成金属性Cu2S二元相，后续的KCN刻蚀处理CuxS二元相可去除。硫。化温度为540℃制得的CIS薄膜高质量结晶、具有[112]择优取向，适合于制备CIS薄膜太阳能电池吸收层。