1．55MeV^3He离子辐照单晶Si引起的损伤效应研究

来源 :核技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：breeze001

【摘要】

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室温下使用1.55 MeV、5×1013-5×1016/cm2注量的3He离子注入单晶Si,采用透射电子显微镜(TEM)观测分析了高温退火后单晶Si中由注入引起的损伤形貌,同时使用核反应分

【作者】

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刘昌龙 Ntsoenzok E

【机构】

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天津大学理学院物理系,CERI/CNRS

【出处】

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核技术

【发表日期】

：

2004年11期

【关键词】

：

单晶Si MeV级^3He离子注入气泡团簇空腔透射电镜 Crystalline silicon MeV level He implantation B

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室温下使用1.55 MeV、5×1013-5×1016/cm2注量的3He离子注入单晶Si,采用透射电子显微镜(TEM)观测分析了高温退火后单晶Si中由注入引起的损伤形貌,同时使用核反应分析(NRA)技术研究了3He气体原子的热解吸.结果显示,低注量3He离子注入在Si中产生的缺陷主要为一些小尺寸的位错或位错环;在中等照射剂量,退火导致了气泡和气泡团簇的形成并伴随着高密度的位错环从这些气泡团簇中发射出来;而对于较高的照射剂量,3He离子注入加上随后的高温退火则在离子射程附近产生了一个具

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