冷原子导引囚禁磁场的计算及分析

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为了研究冷原子在磁导引中的运动规律,设计优化导体结构、电流和偏置磁场,本文根据毕奥-萨伐尔定律计算理想化导体的常规数值解,并由Matlab和VC混合编程设计出导线磁场计算工具;根据麦克斯韦方程组选择Ansoft MaxweU计算宽导线、复杂结构导体、通交变电流等情况的有限元数值解.取宽度为100μm,高度为10μm的宽导线,计算离导线表面不同距离处的磁场值;计算V型波导平板夹角为30度和90度的磁场;比较交流Ioffe磁阱的横向与斜向磁场分布.计算结果表明:在100μm以下宽导线磁场与理想值偏离;两种角度下V型波导的磁阱中心高度为1.55mm和0.4mm;距离交流Ioffe中心2.3mm处的横向磁场大小是O.64G,斜向是1.68G.得出以下结论:在距离宽导线表面宽度值以下时需要考虑尺度因素;V型磁导引平板夹角越小产生的磁阱高度越高;Ioffe交流磁阱的斜向阱深大于横向.
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