基于Mixed-Logit的半补偿型方式划分模型研究

来源 :武汉理工大学学报:交通科学与工程版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:JoanFang
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
引入阈值的概念,建立基于Mixed-Logit模型的半补偿型方式划分模型,将选择过程划分为2个阶段,并在第二阶段采用Mixed-Logit模型,克服IIA特性和喜好随机性限制两大缺陷,最终达到更好地描述出行方式选择行为的目的.基于SP调查获取的样本数据,采用马尔科夫链蒙特卡洛算法结合数据扩张技术的方法对模型参数进行标定,利用命中率法对模型预测结果进行检验,并与MNL模型进行对比,验证了该模型应用于交通方式划分的可行性及优越性.
其他文献
通过在高k介质和Ge表面引入一层超薄HfN界面层,实验制备了HfO2/HfON叠层栅介质Ge MOS器件。与没有界面层的样品相比,HfO2/HfON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅
采用线性组合算符和幺正变换方法,研究了自旋对量子点中弱耦合束缚磁极化子性质的影响。考虑自旋影响时,讨论了束缚磁极化子的基态能量随量子点受限长度和磁场的变化关系。结果
车-车无线通信信道参数经常随时间变化,并且快速的变化也会影响无线信道的特征.针对车-车无线信道的特点,为了准确分析和研究相关信道特征,利用5.9 G Hz频段的高精度无线信道
建立了一种基于硅/锗硅异质结构的应变硅NMOS晶体管的有限元模型,通过模拟研究了沟道区的应变分布及其与器件参数的关系。结果表明,提高锗硅虚拟衬底中锗的摩尔组分、减小应变硅
应变Si材料的能带结构是研究设计高速/高性能器件和电路的理论基础。采用结合形变势理论的K.P微扰法建立了(001)面弛豫Si1-xGex衬底上生长的张应变Si的能带结构模型。结果表明:[00