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采用阳极氧化法在钛网基底上制备出TiO2纳米管阵列,利用连续离子层吸附法(SILAR)将半导体In2S3沉积到TiO2纳米管表面,制备In2S3/TiO2纳米复合材料。利用扫描电子显微镜(SEM)、X-射线衍射仪(XRD)及紫外-可见漫反射光谱(DRS)对材料的形貌和结构进行表征,并通过荧光光谱仪以及光电信号对不同沉积圈数的In2S3/TiO2纳米复合材料的光电性能进行测试。结果表明,制备的In2S3纳米颗粒均匀沉积在TiO2纳米管上,并且不会堵塞纳米管的管孔。沉积不同圈数的In2S3/TiO2纳米复合材