微波场效应晶体管开关

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本文叙述了微波场效应晶体管(FET)开关的基本工作原理,重点讨论7.5~16.5GHz单刀三掷有源FET开关的设计考虑和设计方法。对于所设计的这种7.5~16.5GHz FET单刀三掷频段转换开关,测得的性能为:开关速度<60ns,插损为-4~+4dB,隔离≥20dB,插入增益为4dB。
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