论文部分内容阅读
采用LLP中间耦合方法,研究了电子-声子相互作用对压电表面的影响.结果表明,当电子接近晶体表面处时,表面声学声子之间的相互作用对表面态的影响很大,尤其是电子-压电声子耦合较强的化合物,压电声子对电子在表面的束缚比光学声子的束缚强很多.因此,研究压电材料的电子表面态时,应主要考虑压电声学声子.
电子-声子相互作用对压电表面态的影响
【摘 要】
：
采用LLP中间耦合方法,研究了电子-声子相互作用对压电表面的影响.结果表明,当电子接近晶体表面处时,表面声学声子之间的相互作用对表面态的影响很大,尤其是电子-压电声子耦合
【机 构】
：
内蒙古师范大学物理与电子信息学院
【出 处】
：
内蒙古师范大学学报：自然科学汉文版
【发表日期】
：
2004年3期
【基金项目】
：
国家自然科学基金
其他文献
目的：本文通过对不同风险亚组IMN患者Cys C水平的比较,探讨Cys C是否可作为IMN风险预测因子,作为评价IMN患者病情观察和追踪治疗的检验指标。方法：回顾性分析上海中医药大学附
引入完全k光滑概念（kS），证明了kS空间是自反的Banach空间，且完全k凸空间与完全k光滑空间概念是对偶概念；若X是志S空间，则X是（k＋1）S空间，反之不然．给出完全k光滑空间的特征刻画及一个判定