论文部分内容阅读
针对放置极近的微带天线阵元之间耦合的问题，提出一种改进方法，即通过在贴片附近增加两条微带线将相邻边的间距仅0．048λ0（λ0是自由波长）的阵元之间的隔离度（IS21I）从7．5dB提高到21．5dB以上。与同尺寸的普通微带天线阵相比，该方法较大程度地改善了阵元的方向性，降低了副瓣电平。为了获得最大的隔离度，优化了微带线的长度、宽度以及贴片与徽带线间耦合缝隙的大小。