【摘 要】
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研制出高优值系数的Ｐ型和Ｎ型赝三元系Ｂｉ＿２Ｔｅ＿３－Ｓｂ＿２Ｔｅ＿３－Ｓｂ＿２Ｓｅ＿３半导体致冷材料，在室温附近最高优值系数达到３．３×１０￣（－３）／Ｋ，致冷器件制作结果表明，热电性能高于二元系半导体致冷材料。
The P-type and N-type pseudo-t
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研制出高优值系数的Ｐ型和Ｎ型赝三元系Ｂｉ＿２Ｔｅ＿３－Ｓｂ＿２Ｔｅ＿３－Ｓｂ＿２Ｓｅ＿３半导体致冷材料，在室温附近最高优值系数达到３．３×１０￣（－３）／Ｋ，致冷器件制作结果表明，热电性能高于二元系半导体致冷材料。
The P-type and N-type pseudo-ternary Bi_2Te_3-Sb_2Te_3-Sb_2Se_3 semiconductor refrigerating materials with high merit coefficients were developed. The highest merit coefficient near room temperature reached 3.3 × 10 -3 / K, The results show that the thermoelectric properties of binary semiconductor refrigeration materials.
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