α—C：F薄膜的键合结构与电子极化研究

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【摘要】

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利用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积技术,通过改变微波输入功率的方法,沉积了具有不同结构特征的氟化非晶碳(α-C:F)薄膜.随着微波功率从M0w升高到560w,薄膜的光频介

【作者】

：

叶超康健宁兆元程珊华辛煜方亮陆新华项苏留

【机构】

：

苏州大学理学院物理系,江苏大学化学化工系,江苏大学分析测试中心

【出处】

：

功能材料

【发表日期】

：

2001年5期

【关键词】

：

α-C:F薄膜键结构电子极化氟化非晶碳膜 Amorphous materialsBondingCarbonElectronsFluorine compou

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利用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积技术,通过改变微波输入功率的方法,沉积了具有不同结构特征的氟化非晶碳(α-C:F)薄膜.随着微波功率从M0w升高到560w,薄膜的光频介电常数从2.26降至1.68,红外光谱(FTIR)分析表明薄膜的键结构由以CF基团为主变化到CF与cF2基团共存.由于CF2基团的极化比CF基团弱,薄膜中CF2基团的增加可能是导致光频介电常数减小的因素.

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