【摘 要】
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利用扩展X射线吸收精细结构光谱(EXAFS)研究了不同掺杂浓度Nd3+∶Lu2O3纳米粉体和透明陶瓷中Nd3+的局域结构.结果表明,在不同条件下Nd3+均以固溶取代Lu3+的方式进入Lu2O3基质
【机 构】
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上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系,中国科学技术大学国家同步辐射实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金大科学装置联合基金面上项目(批准号:11079026/A0804);上海市基础重点研究项目(批准号:09JC1406500);上海市重点学科基金(批准号:S30107)资助
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利用扩展X射线吸收精细结构光谱(EXAFS)研究了不同掺杂浓度Nd3+∶Lu2O3纳米粉体和透明陶瓷中Nd3+的局域结构.结果表明,在不同条件下Nd3+均以固溶取代Lu3+的方式进入Lu2O3基质晶格,掺杂Nd3+原子的第一配位键长约为0.225 nm,小于Nd2O3纳米粉中Nd—O第一近邻键长0.251 nm,而大于Lu2O3中Lu—O第一近邻键长0.221 nm.在Lu2O3晶格中掺杂Nd离子的局域环境与基质晶体场、掺杂浓度以及材料聚集状态密切相关,随着Nd掺杂量从0.5%提高至3%,纳米粉体无序度由5.6×10-4nm2升高到8.5×10-4nm2,Nd3+∶Lu2O3纳米粉体中Nd3+的第一近邻Nd—O键长、配位数和无序度因子均比透明陶瓷的大.
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