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报道了Zn:Er:LiNbO3单晶的坩埚下降法生长工艺. 通过控制晶体生长固液界面的温度梯度(30~35 ℃·cm-1)、晶体的生长速度(0.8~1.5 mm·h-1)、密闭Pt坩埚等条件生长了宏观无缺陷的Zn2+(3%)和Er3+(0.6%)共掺的LiNbO3单晶. 用X射线衍射(XRD)和差热分析(DTA)表征了获得的晶体, 并测量了晶体不同部位的吸收光谱和荧光谱. 从吸收光谱以及由XRD数据计算所得的晶胞参数推断, 沿生长方向Er3+在晶体中的浓度分布逐步减少. 光谱数据表明,