【摘 要】
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运用密度泛函理论中广义梯度近似（GGA）的VWN-BP方法结合周期性平板模型,研究N2在UO（100）表面的吸附.研究表明,N2平行吸附在UO（100）表面穴位为最稳定吸附构型,吸附能为79.0kJ·m
【机 构】
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福州大学化学系,中国工程物理研究院
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运用密度泛函理论中广义梯度近似（GGA）的VWN-BP方法结合周期性平板模型,研究N2在UO（100）表面的吸附.研究表明,N2平行吸附在UO（100）表面穴位为最稳定吸附构型,吸附能为79.0kJ·mol-1.Mulliken布居分析显示,N2获得电子.吸附后,N—N伸缩振动频率发生红移,波数在1770-2143cm-1之间.态密度分析表明,U原子将d、f电子转移至N2的2π轨道.计算所得解离反应的能垒为266.9kJ·mol-1.
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