【摘 要】
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上海科技大学半导体器件物理研究室试制出两类VVMOS器件,其主要性能介绍如下:一、高频VVMOS功率晶体管:工作频率:f=400兆赫输出功率:P_0=10瓦系列功率增益:K_p≥5分贝漏电流:
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上海科技大学半导体器件物理研究室试制出两类VVMOS器件,其主要性能介绍如下:一、高频VVMOS功率晶体管:工作频率:f=400兆赫输出功率:P_0=10瓦系列功率增益:K_p≥5分贝漏电流:I_(OS)=2安培漏源击穿电压:BV_(DS)≥60伏开启电压:V_r=0～2伏开态电阻:R_(on)=3～4欧姆开关时间:t≤10毫微秒
Shanghai University of Science and Technology semiconductor device physics laboratory two types of VVMOS device trial, the main features are described below: A high-frequency VVMOS power transistor: Operating frequency: f = 400 MHz Output power: P_0 = 10 W Series power gain: K_p ≥ 5 Decibel Leakage Current: I OS = 2 Amp Drain Source Breakdown Voltage BV_DS ≥60 V Turn-on Voltage V_r = 0-2 V ON Resistance R_ (on) = 3 ~ 4 Ohms Switching Time t ≤10 nanoseconds
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