【摘 要】
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采用氧化物陶瓷工艺制备MnZn功率铁氧体。通过对铁氧体断面微观形貌的表征及密度、电阻率和磁特性的测试,研究了ZnO含量对低损耗MnZn功率铁氧体起始磁导率(μi)和损耗温度特
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
【基金项目】
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国防科技预研基金资助项目(51312030403);四川省科技攻关基金资助项目(2006Z02-032)
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采用氧化物陶瓷工艺制备MnZn功率铁氧体。通过对铁氧体断面微观形貌的表征及密度、电阻率和磁特性的测试,研究了ZnO含量对低损耗MnZn功率铁氧体起始磁导率(μi)和损耗温度特性的影响。结果表明,随着ZnO摩尔分数的增加,室温下MnZn功率铁氧体的μi、饱和磁感应强度Bs、密度及电阻率均先增大后减小,损耗先减小后增大,居里温度一直降低。当x(ZnO)=14.5%时,室温下铁氧体的μi、Bs、密度及电阻率均达到最大值,而磁滞损耗(Ph)、涡流损耗(Pe)及总损耗(Pcv)达到最小值。同时,铁氧体的μi-T曲线Ⅱ峰及最低损耗所对应的温度点向低温移动。Ph-T曲线与μi-T曲线呈相反的变化趋势;Pe-T曲线与经典涡流损耗不一致,主要是由于与磁滞损耗有关的附加涡流损耗(Pe,exc)对总的涡流损耗有一定贡献。最终,当x(ZnO)=14.0%时,MnZn铁氧体材料的室温μi为3 180,在25~120℃温度范围总损耗(Pcv)为280~350 kW/m3,具有优秀的宽温低损耗特性。
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