【摘 要】
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Ⅱ-Ⅵ族镉(Cd)化物，如CdTe、CdSe、CdSeTe等具有直接带隙、光学吸收系数高和电学特性优异等突出特点，在太阳电池、X及γ射线探测器、红外焦平面阵列(FPA)等方面均得到了广泛应用。文章简要综述了近年来用分子束外延(MBE)工艺生长镉化物微结构材料的研究进展和器件应用动态，并对镉化物在光电子领域中的发展前景进行了展望。
【机 构】
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中国科学院半导体研究所材料科学中心，北京100083
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Ⅱ-Ⅵ族镉(Cd)化物，如CdTe、CdSe、CdSeTe等具有直接带隙、光学吸收系数高和电学特性优异等突出特点，在太阳电池、X及γ射线探测器、红外焦平面阵列(FPA)等方面均得到了广泛应用。文章简要综述了近年来用分子束外延(MBE)工艺生长镉化物微结构材料的研究进展和器件应用动态，并对镉化物在光电子领域中的发展前景进行了展望。
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