氧化硅RIE刻蚀工艺研究

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户：undeadto

【摘要】

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利用反应等离子刻蚀技术对SiO2进行干法刻蚀，研究了不同刻蚀条件对刻蚀速率、刻蚀选择比、刻蚀面粗糙度、刻蚀均匀性等的影响。分析得出了刻蚀侧壁角度与刻蚀选择比以及抗蚀掩

【作者】

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杜文涛曾志刚胡志宇

【机构】

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上海大学纳微能源研究所

【出处】

：

半导体光电

【发表日期】

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2014年1期

【关键词】

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反应等离子刻蚀氧化硅工艺参数刻蚀侧壁角度 reactive ion etching SiO2 process parameter sidewall

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利用反应等离子刻蚀技术对SiO2进行干法刻蚀，研究了不同刻蚀条件对刻蚀速率、刻蚀选择比、刻蚀面粗糙度、刻蚀均匀性等的影响。分析得出了刻蚀侧壁角度与刻蚀选择比以及抗蚀掩模自身的侧壁角度之间存在的数学关系，这为如何获得垂直的刻蚀侧壁提供了参考。

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