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辐照缺陷可作为氧非均匀成核的核心加速氧沉淀的发生,使中子嬗变掺杂直拉硅(NTDCZSi)一步高温退火即可完成内吸除(IG)处理,对其机理进行了简单的探讨。
硅单晶中辐照缺陷对氧的非均匀成核和沉淀的影响
【摘 要】
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辐照缺陷可作为氧非均匀成核的核心加速氧沉淀的发生,使中子嬗变掺杂直拉硅(NTDCZSi)一步高温退火即可完成内吸除(IG)处理,对其机理进行了简单的探讨。
【机 构】
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河北工学院天津,300130
【出 处】
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人工晶体学报
【发表日期】
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1993年3期
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