【摘 要】
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采用第一性原理计算方法,通过在吸附了H2,H2O,CO,NH3,NO,NO2等气体分子的单层GeSe上施加–8%—8%的双轴向应变,从微观角度阐明应变对吸附体系电子性质的影响及其内在机理.计
【机 构】
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厦门理工学院光电与通信工程学院,杭州电子科技大学电子信息学院
【基金项目】
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浙江省公益技术应用研究计划项目(批准号:LGG19F040003),国家自然科学基金(批准号:61704040),福建省自然科学基金(批准号:2016J01684,2018J01568),福建省中青年教师教育科研项目(批准号:JAT190671)资助的课题.
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采用第一性原理计算方法,通过在吸附了H2,H2O,CO,NH3,NO,NO2等气体分子的单层GeSe上施加–8%—8%的双轴向应变,从微观角度阐明应变对吸附体系电子性质的影响及其内在机理.计算结果表明,对于CO,NH3和NO气体分子在–8%—8%,以及NO2分子在–8%—6%的双轴向应变范围内,单层GeSe具备成为气体传感器的应用潜力.较大的压缩应变(–6%—–8%)有助于提高单层GeSe对CO和NO气体的响应速度和敏感性.
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