论文部分内容阅读
描述了高纯SiC晶体材料的加工方法，分析了金刚石多线各种切割工艺对高纯SiC晶体的切割效果及效率的影响，并基于金刚石切割SiC晶体的理论依据，结合各种工艺试验数据及切割片数据，总结出相对稳定的工艺条件，并在这类工艺条件下，得出较低翘曲度的高纯SiC晶片，满足下游客户的要求，采用TROPELFM-100平坦度测试仪分析各种切割工艺条件下的高纯100mm 4H-SiC切割片表面形貌。