论文部分内容阅读
为研究碘化汞(HgI2)晶体生长形貌的变化规律,使用Material Studio(MS)软件中的Morphology和Forcite模块计算HgI2晶体的附着能(Eatthkl)明确晶体的生长速率Rhkl.采取封端法辅助切面法将非收敛结构转换为收敛结构后计算α-HgI2晶体的附着能.以βHgI2晶体为参照,通过对β-HgI2使用生长形态法与封端法辅助切面法同步计算附着能,分析封端法辅助切面法计算晶体附着能的合理性.结果表明:使用封端法辅助切面法计算出αHgI2晶体(001)、(101)和(110)的Ea