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对微波肖特基中、低势垒二极管硅化物的工艺技术进行了研究。用Ｎｉ－Ｓｉ硅化物作中势垒硅化物，用Ｔｉ－Ｓｉ硅化物作低势垒硅化物。通过设计和工艺实验，得到温度、时间、真空度等取佳工艺技术条件。在保持微波肖特基二极管势垒特征的同时，提高了反向电压，增强了它的稳定性和可靠性。
微波肖特基势垒二极管硅化物工艺技术研究
【摘 要】
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对微波肖特基中、低势垒二极管硅化物的工艺技术进行了研究。用Ｎｉ－Ｓｉ硅化物作中势垒硅化物，用Ｔｉ－Ｓｉ硅化物作低势垒硅化物。通过设计和工艺实验，得到温度、时间、真空度等取佳工艺技术条件
【机 构】
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亚光电子有限责任公司研究所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1999年6期
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