SHS法合成低游离硅亚微米级β-Si3N4研究

来源 :粉末冶金工业 | 被引量 : 0次 | 上传用户：aqwww8

【摘要】

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本文采用SHS工艺对低游离硅(Sif＜1 %)亚微米级β-Si3N4的制备进行了研究,在研究中采用细硅粉团粒作为原料,试验结果表明:用团粒为原料合成的β-Si3N4粒度为0.71 μm时,其游离

【作者】

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张英才王声宏韩文成孔祥玖

【机构】

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北京钢拓冶金研究所,三河燕郊新宇高技术陶瓷材料有限公司

【出处】

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粉末冶金工业

【发表日期】

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2005年2期

【关键词】

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自蔓延高温合成(SHS)或燃烧合成(CS) Β-SI3N4 结构陶瓷 self-propagation high-temperiture synthesis（S

【基金项目】

：

科技部科技型中小企业技术创新项目

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本文采用SHS工艺对低游离硅(Sif＜1 %)亚微米级β-Si3N4的制备进行了研究,在研究中采用细硅粉团粒作为原料,试验结果表明:用团粒为原料合成的β-Si3N4粒度为0.71 μm时,其游离硅含量为0.65 %,而采用常规的硅粉为原料时,当β-Si3N4粒度为0.69 μm时,游离硅的含量高达1.98 %.

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