氮化镓-MOCVD深紫外LED材料生长设备研制成功

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据中国电子材料网报道,中国国家[863]半导体照明工程重点专案[氮化镓-MOCVD深紫外LED材料生长设备]制造取得重大突破,研制成功了大陆首台具有自主知识产权的、能够同时生长6片LED外延片的MOCVD设备。此项项目由青岛杰生电气有限公司承担。该设备集精密机械、半导体材料、真空电 According to the report by China Electronic Materials Net, major breakthroughs were made in the manufacturing of GaN semiconductor-MOCVD deep UV LED material for China’s National [863] Semiconductor Lighting Project. The Company successfully developed the first platform with independent intellectual property right in China that can grow simultaneously 6 pieces of LED epitaxial wafers MOCVD equipment. This project is undertaken by Qingdao Jie Sheng Electric Co., Ltd. The device integrates precision machinery, semiconductor materials, vacuum electricity
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