论文部分内容阅读
用X射线双晶衍射对气源分子束外延(GS-MBE)制备的锗/硅短周期超晶格(SPS)样品进行了分析．所有样品的锗层厚度固定为1．5单原子层，而硅层厚度为1．4～3．8 nm．对于硅层厚度小于2．4nm的样品来说，双晶衍射摇摆曲线中由超晶格引起的衍射峰较宽，而且看不到干涉引起的精细结构，这表明超晶格中可能存在位错及界面不平整．对硅层较厚(＞2．9 nm)的样品，摇摆曲线中超晶格引起的衍射峰很窄，而且有明显的由干涉产生的精细结构，表明此时超晶格的质量较高，界面平整．对硅层厚度为2．1～2．9 nm的样品，超晶格