基于小信号等效电路模型的SiGe HBT高频特性模拟分析

来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：gwang903

【摘要】

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给出了fr为15 GHz的SiGe HBT器件的高频小信号等效电路模型;运用微波网络理论,在Matlab软件平台上模拟出器件的S参数和H21参数曲线,模拟结果与实测结果相吻合;根据电路的拓扑

【作者】

：

杨维明陈建新史辰李振国高铭洁

【机构】

：

北京工业大学

【出处】

：

微电子学

【发表日期】

：

2005年1期

【关键词】

：

锗硅合金异质结双极晶体管电路模型模拟 SiGe alloy Heterojunction bipolar transistor Circuit mod

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给出了fr为15 GHz的SiGe HBT器件的高频小信号等效电路模型;运用微波网络理论,在Matlab软件平台上模拟出器件的S参数和H21参数曲线,模拟结果与实测结果相吻合;根据电路的拓扑结构,分析了管壳封装带来的寄生参数对器件高频性能的影响;根据稳定性判据,计算了器件的稳定性与工作频率之间的关系.为器件的设计和应用提供了理论依据.

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