【摘 要】
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该文基于第三代半导体材料的GaN功率管,研制了一款P波段超宽带GaN功放模块。采用三级增益放大设计,末级放大电路通过推挽结构实现大功率输出,结构采用上、下腔一体化设计,满
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十六研究所,中国电子科技集团公司第五十五研究所
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该文基于第三代半导体材料的GaN功率管,研制了一款P波段超宽带GaN功放模块。采用三级增益放大设计,末级放大电路通过推挽结构实现大功率输出,结构采用上、下腔一体化设计,满足小型化及散热要求。测试结果表明,在工作电压36 V、工作脉宽3 ms、占空比30%条件下,该功放模块在200 MHz工作带宽下,可实现420 W功率输出,效率优于69%。通过工艺控制,该功放模块批产后,指标一致性好,且具有体积小、重量轻、故障返修率低等特点,在国内同类产品中,处于技术领先地位,可广泛应用于中远程雷达。
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