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一个新奇模型被开发理论上在终止 H 的 Si (001 )-(2×2×1) 表面上评估 O <SUB>2</SUB> 吸附。周期的边界条件, ultrasoft pseudopotentials 技术基于密度有概括坡度近似(GGA ) 的功能的理论(DFT ) 功能在我们的 ab initio 计算被使用。由在地点上分析结合的精力,赞成吸附地点是坚定的。计算也预言吸附产品应该是 Si=O 和 H <SUB>2</SUB