UMG多晶硅片的少子寿命

来源 :太阳能学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：kevinlpr

【摘要】

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利用微波光电导衰减方法,研究磷吸杂、热氧化以及氮化硅钝化后快速热退火等工艺对物理冶金法制备的UMG硅片少子寿命的影响.实验发现:磷吸杂可有效改善冶金法硅片的少子寿命,

【作者】

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潘淼郑兰花武智平罗学涛陈文辉李锦堂陈朝

【机构】

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厦门大学物理系,厦门大学材料系

【出处】

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太阳能学报

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

冶金法硅片少子寿命磷吸杂热氧化快速热处理

【基金项目】

：

国家自然科学基金;福建省重大科技专项专题;福建省经贸委资助项目

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利用微波光电导衰减方法,研究磷吸杂、热氧化以及氮化硅钝化后快速热退火等工艺对物理冶金法制备的UMG硅片少子寿命的影响.实验发现:磷吸杂可有效改善冶金法硅片的少子寿命,其优化的条件是950℃处理4h;经热氧化处理后,少子寿命有所下降；氮化硅钝化后快速热退火处理可提高少子寿命,其优化的条件为800℃退火30s.

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