【摘 要】
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研究了磁控溅射陶瓷靶制备的氧化铟锡薄膜的微观结构和光电性能;给出了它的XPS、AFM分光光度计测试结果。结果表明:氧化铟锡膜内部Sn以SnO2相存在,In以In2O3相存在,含量分别
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研究了磁控溅射陶瓷靶制备的氧化铟锡薄膜的微观结构和光电性能;给出了它的XPS、AFM分光光度计测试结果。结果表明:氧化铟锡膜内部Sn以SnO2相存在,In以In2O3相存在,含量分别在5.8%和85.0%左右;薄膜表面十分致密,呈多晶球状微粒均匀分布,平均粒径为50nm;可见波段光透过率全部超过80%,近红外反射率也较高,在2500nm处达到70%,电阻率为2.7×10-4Ω·cm,禁带宽度Eg≥3.35eV。
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