【摘 要】
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利用Silvaco公司的Athena工艺仿真软件和Atlas器件仿真软件,对N型插指背结背接触(Interdigitated Back Contact,IBC)晶硅太阳电池普遍采用的前表面场(FSF)结构进行研究,详细
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利用Silvaco公司的Athena工艺仿真软件和Atlas器件仿真软件,对N型插指背结背接触(Interdigitated Back Contact,IBC)晶硅太阳电池普遍采用的前表面场(FSF)结构进行研究,详细分析了IBC晶硅电池FSF表面掺杂浓度及扩散深度对电池性能的影响.结果表明:具有不同表面掺杂浓度和扩散深度的FSF对IBC晶硅太阳电池短路电流密度(Jsc)、开路电压(Voc)和填充因子(FF)产生显著影响,从而影响电池的转换效率(Eff).具有较低表面浓度、深扩散FSF结构的IBC晶硅太阳电池可获得较高转换效率,当表面掺杂浓度为5×1017 cm-3时,电池转换效率Eff最高,且随FSF扩散深度增加略有增加,最高转换效率可达22.3％.
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