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文章叙述了ＣＭＯＳ电路寄生可控硅现象的成因及其触发机理。针对实际测试情况，分析了测试过程中导致被测器件闩锁的原因。最后提出了相应的措施，从外部防止和克服ＣＭＯＳ电路闩锁的形成。
克服CMOS电路测试中的闩锁现象
【摘 要】
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文章叙述了ＣＭＯＳ电路寄生可控硅现象的成因及其触发机理。针对实际测试情况，分析了测试过程中导致被测器件闩锁的原因。最后提出了相应的措施，从外部防止和克服ＣＭＯＳ电路闩锁的形成。
【机 构】
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航天工业总公司七七一所
【出 处】
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微电子测试
【发表日期】
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1996年4期
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