【摘 要】
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针对现有的多芯片压接式绝缘栅双极型晶体管（IGBT）平台难以监测每个芯片运行情况的问题,通过参考焊接型IGBT相关的试验控制策略、试验流程和数据采集,进行了可控压力的单芯片压
【机 构】
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重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室
【基金项目】
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国家重点研发计划（2016YFB0901804）,重庆市研究生科研创新项目（CYB17008）
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针对现有的多芯片压接式绝缘栅双极型晶体管（IGBT）平台难以监测每个芯片运行情况的问题,通过参考焊接型IGBT相关的试验控制策略、试验流程和数据采集,进行了可控压力的单芯片压接式IGBT模块的功率循环平台试验设计研究,通过功率循环试验研究了不同压力下压接式IGBT的失效机理,得到了单芯片模块可能的主要失效模式和模块的薄弱环节。试验结果表明,单芯片压接式IGBT模块的主要失效模式是微动磨损和栅氧化层损坏,模块的薄弱环节在于芯片与下钼层之间、栅极弹簧顶针与栅极接触处。该研究可为使用压接式IGBT的换流阀、断路
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