氮化硅覆铜基板活性钎焊研究进展

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随着新一代SiC基功率模块器件朝着高功率密度、高工作温度方向快速发展,具备更高可靠性的Si3N4-AMB基板已逐步替代传统的DBC基板,成为SiC器件的首选。从SiC器件对高可靠性封装基板的需求出发,介绍了近年来Si3N4-AMB覆铜基板的研究现状,主要包括Si3N4-AMB覆铜基板的制备工艺、铜/氮化硅陶瓷界面的空洞率控制及高低温冲击可靠性三大方面。
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