论文部分内容阅读
自行设计制备了激光诱导化学气相沉积法(LICVD)纳米制粉装置，利用该装置制备的纳米硅粉其粒度波动在30～60nm之间。通过对不同反应气体流量条件下的激光能量阈值研究表明，随反应气体流量的增加，所需激光能量阈值大致成线性增加。利用透射电镜和高分辨电镜对其形貌进行了表征，并对其成核与生长进行了分析，在成核长大初期，晶核周围的Si原子浓度较高，纳米硅晶应以层状长大方式为主。当纳米晶中有螺型位错等晶体缺陷形成时，会为Si原子的“落座”提供生长所需的台阶源，晶粒将以螺旋状生长方式长大。在长大过程中，纳米晶会发生跳