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采取从某一温度（600-1000℃）开始缓慢升温至高温（1150℃）并保温若干时间的方法，使得直拉si片中大于起始温度对应的氧沉淀临界尺寸的那一部分原生氧沉淀得以长大，然后通过傅里叶红外光谱测量氧浓度变化以及利用扫描红外显微术测量氧沉淀密度．通过这样的方法，定性地研究了300mm掺N直拉si片的原生氧沉淀的径向分布．研究表明：氧沉淀异常区域（称为P区）的原生氧沉淀密度显著高于空位型缺陷区域（称为V区）；此外，V区中的原生氧沉淀的尺寸分布是不连续的，表现为高温下形成的大尺寸原生氧沉淀和低温下形成的小尺寸氧沉